芯片的未来就在这里。三星开始采用基于 GAA 架构的 3nm 技术

半导体部门三星代工宣布，其位于 Hwasong 的工厂已开始生产 3nm 芯片。与使用 FinFet 技术的上一代产品不同，这家韩国巨头现在采用 GAA（Gate-All-Around）晶体管架构，显着提高了能源效率。

采用 MBCFET（多桥通道）GAA 架构的 3nm 芯片将通过降低电源电压等方式获得更高的能效。三星还在高性能智能手机芯片组的半导体芯片中使用纳米板晶体管。

Fotogalerie

3nm_芯片_纳米板

Samsung_Foundry_3nm_chips

三星_代工厂_工厂_华松

三星标志

进入画廊

与纳米线技术相比，具有更宽通道的纳米板可实现更高的性能和效率。通过调整纳米板的宽度，三星客户可以根据自己的需求定制性能和功耗。

您可能感兴趣

什么时候能看到pro芯片的介绍 Galaxy S23？

智能手机

Martin Duchoslav

28。 6。 2022

0

三星表示，与 5nm 芯片相比，新芯片的性能提高了 23%，能耗降低了 45%，面积缩小了 16%。他们的第二代产品性能应提高 2%，效率提高 30%，面积缩小 50%。

“随着我们在制造领域应用下一代技术方面不断展现领先地位，三星正在快速发展。我们的目标是通过采用 MBCFETTM 架构的首款 3nm 工艺继续保持这一领先地位。我们将继续在有竞争力的技术开发方面积极创新，并创建有助于加速实现技术成熟的流程。” 三星半导体业务负责人 Siyoung Choi 表示。