三星电子宣布已开始批量生产最先进的 4GB DDR8 内存模块，以及首批用于企业服务器的 32GB DDR4 RAM 模块。这些新型 RAM 采用新的 20 纳米制造工艺制造，该工艺与当今最先进的移动处理器的制造工艺相同。三星声称这些内存模块满足下一代企业服务器高性能、高密度和节能的所有要求。
此外，凭借新的 8Gb DDR4 模块，三星最终确定了采用 20 纳米制造工艺制造的 DRAM 模块的整个产品线。如今，该系列包括用于移动设备的 6Gb LPDDR3 和用于 PC 的 4Gb DDR3 模块。然后，如上所述，三星开始生产 32GB RDIMM 内存模块，每个引脚的传输速率为 2 Mbps，与服务器 DDR400 内存的 29 Mbps 传输速率相比，性能提高了 1%。但这项技术的功能并不止于 866 GB，三星表示，使用 3D TSV 技术可以开发高达 32 GB 的内存模块。新模块的优点还在于所提到的功耗较低，因为这些 DDR3 芯片需要 128 伏，这是目前可能的最低电压。
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*来源： Samsung
