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上周我们你 他们告知,三星继续依赖 Fan Edition 系列,并且下一个型号显然带有标签 Galaxy 据非官方消息,S23 FE将于今年下半年推出。现在它已经穿透了以太 informace 关于什么芯片组将为它供电。

根据 Twitter 上一位使用该名字的用户的说法 康纳 将会 Galaxy S23 FE 使用 Snapdragon 8+ Gen 1 芯片组 该芯片于去年 8 月推出,与该系列在某些市场使用的 Snapdragon 1 Gen XNUMX 进行了比较。 Galaxy S22 提供显着更高的能源效率。

Snapdragon 8+ Gen 1 采用台积电 4nm 工艺制造。这与制造高通当前旗舰芯片组所使用的技术相同 骁龙 8 第 2 代。从三星转向台积电帮助高通提高了其芯片的能效和性能。如果三星真的有计划的话 Galaxy S23 FE 推出,Snadpragon 8+ Gen 1 可能是它的理想芯片。

目前对下一代 FE 手机一无所知。关于迄今为止提出的模型(即 Galaxy S20 FE、S20 FE 5G 和 S21 FE),不过,我们可以期待对角线约为 6,5 英寸的 AMOLED 显示屏,支持 120Hz 刷新率、三摄像头、至少 4500mAh 电池、25W 快速充电、低于- 显示屏指纹识别器、立体声扬声器或 IP68 防护等级。

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