正如您从我们之前的新闻中了解到的那样，三星显然正在准备成功的“廉价旗舰”的继任者 Galaxy S20 FE。近几个月来，有关他的一些信息被泄露 informace，例如关于显示器或电池。现在轮到你 Galaxy S21 FE 出现在一项流行的基准测试中，证实该手机将使用 Snapdragon 888 芯片组。
Galaxy S21 FE 已列入 Geekbench 5 基准数据库，显示该智能手机将搭载高通目前的旗舰产品 Snapdragon 888 芯片组。
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较早的泄密内容谈到，除了 Snapdragon 888 之外，这款手机还可以使用 Exynos 2100 芯片，但这不太可能——与它的前身不同，这款智能手机应该只提供 5G 版本（Galaxy S20 FE 5G 由 Snapdragon 865 提供动力。
Galaxy S21 FE的单核测试得分为381分，多核测试得分为1917分。基准测试还显示它将拥有 6 GB RAM（尽管也可能提供 8 GB 版本）。
据迄今为止的非官方报道，这款手机将配备 6,4 英寸 Super AMOLED 显示屏，支持 120 Hz 刷新率、128 或 256 GB 内存、三摄像头和 4500 mAh 电池（可能支持 25W 快速充电） ）。据已知泄密者 Evan Blass 称，该产品将于 19 月 XNUMX 日推出。
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