三星旗舰芯片 的Exynos 2100 与前身 Exynos 990 相比，它在性能和能效方面迈出了巨大的一步，但仍落后于 Snapdragon 888 芯片。 AnandTech 网站对 Exynos 2100 的性能和能效进行了全面分析，并将其与高通的顶级芯片进行了比较。
测试包括 Exynos 2100 和 Snapdragon 888 版本的手机 Galaxy S21超。在单核测试中，Exynos 2100 比 Exynos 27 快 990%（三星声称提高了 19%）。然而，在内存延迟方面，新芯片的表现比其前身更差 - 136 ns vs 121 ns。 XNUMX纳秒。
Snapdragon 888 在大多数任务中都优于 Exynos 2100，同时功耗更低。三星的最新芯片比高通芯片组更早经历了性能限制，导致长期负载下性能较低。尽管 AnandTech 编辑在测试期间将搭载 Exynos 2100 的 Ultra 放在冰箱中，但它的表现与配备风扇冷却的 Snapdragon 888 的 Ultra 类似。这意味着 Exynos 很可能会降低实际应用中的性能。
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Exynos 78 中的 Mali-G2100 图形芯片比 Exynos 40 使用的 Mali-G77 GPU 快 990%。但是，在长期负载下，它的性能仅与 Snapdragon 650+ 芯片组中的 Adreno 865 GPU 一样强大。尽管Snapdragon 660中的Adreno 888 GPU比Mali-G78更好，但这两款芯片都消耗大量功率（大约8W左右），并且在几分钟后开始降低性能，稳定在“正负”3W。
Exynos 2100 的功耗似乎比 Snapdragon 18 高 35-888%，这会影响电池寿命结果。包括 PCMark Work 2.0 基准测试和网页浏览在内的电池寿命测试表明，Snapdragon 888 Ultra 单次充电的续航时间比 Exynos 2100 Ultra 更长。三星最新的芯片在这些测试中的表现实际上比去年的 Exynos 990 驱动的“esque”要差。不过，Ultra也不排除这是一种异常现象。
三星确实比去年有所进步，但如果它想明年击败高通，它还必须更加努力。其系统LSI部门将需要提高处理器性能，而三星代工厂则需要提高5纳米工艺的效率。
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