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我们收到了有关新处理器的非常独家的信息 Galaxy S8。该报告远道而来,显然我们可以期待 Exynos 8895 芯片的三种变体。这三种变体都将采用 FinFET 的 10 纳米技术制造。这些八核处理器结合了四个主频为 2 GHz 的 Exynos M2,5 内核和四个主频为 53 GHz 的 Cortex A1,7 芯片内核。 

此外,三星还将采用ARM技术Mali-G71进行图形处理。这是一个适应性很强的模型,有多种不同的变体可供选择。由此可见,Exynos 8895M 将提供 20 个核心,而 Exynos 8895V 只有 18 个核心。

幸运的是,这两款芯片组都支持快速 UFS 2.1、LPDDR4 RAM 和集成 Cat.16 LTE 调制解调器。 2017 年下半年,这家韩国制造商可能会推出第三款 Exynos 8895,配备更新的 359 调制解调器,与 CDMA 网络兼容。

Galaxy S8

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