三星今天开始采用 3 纳米制造工艺批量生产其新型 DDR20 DRAM 模块。这些新模块的容量为 4Gb，即 512MB。然而，各个模块的可用内存并不是其主要特征。这一进步恰恰在于采用了新的生产工艺，与旧的 25 纳米工艺相比，能耗降低了 25%。
转向 20 纳米技术也是该公司开始使用 10 纳米工艺生产内存模块的最后一步。目前新模块使用的技术也是市场上最先进的，不仅可以用于计算机，还可以用于移动设备。对于计算机来说，这意味着三星现在能够制造尺寸相同但运行内存大得多的芯片。三星还必须修改其现有技术，以便能够在保持当前制造方法的同时使芯片更小。
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